SSM5N15FU,LF Fiche technique
Spécifications pour SSM5N15FU,LF
Numéro d'article : SSM5N15FU,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
Séries : π-MOSVI
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7.8pF @ 3V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 200mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : USV
Paquet / caisse : 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SSM5N15FU,LF
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
5845085 Pièces
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