Spécifications pour SSM6L61NU,LF

Numéro d'article : SSM6L61NU,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-UDFN (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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