SSM6N16FUTE85LF Fiche technique
Spécifications pour SSM6N16FUTE85LF
Numéro d'article : SSM6N16FUTE85LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 9.3pF @ 3V
Puissance - Max : 200mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : US6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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