Spécifications pour SSM6N357R,LF

Numéro d'article : SSM6N357R,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 12V
Puissance - Max : 1.5W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP-F
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
SMALL LOW R-ON MOSFETS DUAL NCH
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
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quantité disponible
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