SSM6N39TU,LF Fiche technique
Spécifications pour SSM6N39TU,LF
Numéro d'article : SSM6N39TU,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 119 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 260pF @ 10V
Puissance - Max : 500mW
Température de fonctionnement : 150°C
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur : UF6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SSM6N39TU,LF
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 1.6A UF6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3542470 Pièces
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