SSM6N815R,LF Fiche technique
Spécifications pour SSM6N815R,LF
Numéro d'article : SSM6N815R,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Séries : U-MOSVIII-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 4V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 103 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.1nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 15V
Puissance - Max : 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-SMD, Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP-F
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SSM6N815R,LF
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3110115 Pièces
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