Spécifications pour SSM6P41FE(TE85L,F)

Numéro d'article : SSM6P41FE(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 720mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.76nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 10V
Puissance - Max : 150mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur : ES6 (1.6x1.6)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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