SSM6P49NU,LF Fiche technique
Spécifications pour SSM6P49NU,LF
Numéro d'article : SSM6P49NU,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.74nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 480pF @ 10V
Puissance - Max : 1W
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-UDFN (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SSM6P49NU,LF
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3175595 Pièces
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