STB12NM50T4 Fiche technique
Spécifications pour STB12NM50T4
Numéro d'article : STB12NM50T4
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Séries : MDmesh™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 550V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 160W (Tc)
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STB12NM50T4
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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