STI11NM80 Fiche technique
Spécifications pour STI11NM80
Numéro d'article : STI11NM80
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Séries : MDmesh™
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 43.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1630pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STI11NM80
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
110095 Pièces
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