STL80N75F6 Fiche technique
Spécifications pour STL80N75F6
Numéro d'article : STL80N75F6
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
Séries : DeepGATE™, STripFET™ VI
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 75V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7120pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 80W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerFlat™ (5x6)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STL80N75F6
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
16344 Pièces
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