STT6N3LLH6 Fiche technique
Spécifications pour STT6N3LLH6
Numéro d'article : STT6N3LLH6
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
Séries : DeepGATE™, STripFET™ VI
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 283pF @ 24V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-6
Paquet / caisse : SOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STT6N3LLH6
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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