STV250N55F3 Fiche technique
Spécifications pour STV250N55F3
Numéro d'article : STV250N55F3
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
Séries : STripFET™ III
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 10-PowerSO
Paquet / caisse : PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STV250N55F3
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
50010 Pièces
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