STY100NM60N Fiche technique
Spécifications pour STY100NM60N
Numéro d'article :
STY100NM60N
Fabricant :
STMicroelectronics
La description :
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Séries :
MDmesh™ II
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
98A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
330nC @ 10V
Vgs (Max) :
25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
9600pF @ 50V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
625W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
MAX247™
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STY100NM60N
Fabricant
Brève description
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
24122 Pièces
Prix de référence
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