TJ60S06M3L(T6L1,NQ Fiche technique
Spécifications pour TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Numéro d'article : TJ60S06M3L(T6L1,NQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
Séries : U-MOSVI
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 156nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7760pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 100W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DPAK+
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
513845 Pièces
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