TK25E60X,S1X Fiche technique
Spécifications pour TK25E60X,S1X
Numéro d'article : TK25E60X,S1X
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Séries : DTMOSIV-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 300V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 180W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TK25E60X,S1X
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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