TK39A60W,S4VX Fiche technique
Spécifications pour TK39A60W,S4VX
Numéro d'article : TK39A60W,S4VX
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Séries : DTMOSIV
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 38.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.9mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 300V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220SIS
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
57540 Pièces
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