Spécifications pour TK650A60F,S4X

Numéro d'article : TK650A60F,S4X
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Séries : U-MOSIX
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1.16mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1320pF @ 300V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 45W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220SIS
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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