TPC6006-H(TE85L,F) Fiche technique
Spécifications pour TPC6006-H(TE85L,F)
Numéro d'article : TPC6006-H(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
Séries : U-MOSIII-H
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 251pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
6848 Pièces
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