TPC8035-H(TE12L,QM Fiche technique
Spécifications pour TPC8035-H(TE12L,QM
Numéro d'article : TPC8035-H(TE12L,QM
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Séries : U-MOSVI-H
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP (5.5x6.0)
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
8088 Pièces
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