Spécifications pour TPCF8107,LF

Numéro d'article : TPCF8107,LF
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Séries : U-MOSVI
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : +20V, -25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 970pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : VS-8 (2.9x1.5)
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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