TPD3215M Fiche technique
Spécifications pour TPD3215M
Numéro d'article : TPD3215M
Fabricant : Transphorm
La description : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2260pF @ 100V
Puissance - Max : 470W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPD3215M
Fabricant
Brève description
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
4176 Pièces
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