TPH3206LDGB Fiche technique
Spécifications pour TPH3206LDGB
Numéro d'article : TPH3206LDGB
Fabricant : Transphorm
La description : GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 480V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 81W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PQFN (8x8)
Paquet / caisse : 3-PowerDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPH3206LDGB
Fabricant
Brève description
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
51954 Pièces
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