TPH3208LSG Fiche technique
Spécifications pour TPH3208LSG
Numéro d'article : TPH3208LSG
Fabricant : Transphorm
La description : GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 300µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 8V
Vgs (Max) : ±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 400V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 96W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 3-PQFN (8x8)
Paquet / caisse : 3-PowerDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPH3208LSG
Fabricant
Brève description
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
49428 Pièces
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