TPH3R003PL,LQ Fiche technique
Spécifications pour TPH3R003PL,LQ
Numéro d'article : TPH3R003PL,LQ
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Séries : U-MOSIX-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 88A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 44A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 300µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3825pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 90W (Tc)
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1024550 Pièces
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