TPH4R606NH,L1Q Fiche technique
Spécifications pour TPH4R606NH,L1Q
Numéro d'article : TPH4R606NH,L1Q
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
Séries : U-MOSVIII-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 32A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3965pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta), 63W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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