TPS1101DG4 Fiche technique
Spécifications pour TPS1101DG4
Numéro d'article : TPS1101DG4
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 15V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.25nC @ 10V
Vgs (Max) : +2V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 791mW (Ta)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPS1101DG4
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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