TPS1120DR Fiche technique
Spécifications pour TPS1120DR
Numéro d'article : TPS1120DR
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 15V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.45nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 840mW
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-TPS1120DR
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
516230 Pièces
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