TRS10E65C,S1Q Fiche technique
Spécifications pour TRS10E65C,S1Q
Numéro d'article : TRS10E65C,S1Q
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 650V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.7V @ 10A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 90µA @ 650V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-220-2
Package d'appareils du fournisseur : TO-220-2L
Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
51810 Pièces
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