Spécifications pour TSM126CX RFG

Numéro d'article : TSM126CX RFG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 8µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.18nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 51.42pF @ 25V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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