TSM250N02DCQ RFG Fiche technique
Spécifications pour TSM250N02DCQ RFG
Numéro d'article : TSM250N02DCQ RFG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 775pF @ 10V
Puissance - Max : 620mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-TDFN (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3004795 Pièces
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