TSM2N7000KCT A3G Fiche technique
Spécifications pour TSM2N7000KCT A3G
Numéro d'article : TSM2N7000KCT A3G
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 300mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7.32pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 400mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-92
Paquet / caisse : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
7512960 Pièces
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