VMM650-01F Fiche technique
Spécifications pour VMM650-01F
Numéro d'article : VMM650-01F
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
Séries : HiPerFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 680A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 500A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1440nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Y3-Li
Package d'appareils du fournisseur : Y3-Li
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-VMM650-01F
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
4016 Pièces
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