VS-8EWS10STRL-M3 Fiche technique
Spécifications pour VS-8EWS10STRL-M3
Numéro d'article :
VS-8EWS10STRL-M3
Fabricant :
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description :
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
1000V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
8A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.1V @ 8A
La vitesse :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Courant - Fuite inverse @ Vr :
50µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F :
-
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur :
D-PAK (TO-252AA)
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
956245 Pièces
Prix de référence
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