ZXMC3F31DN8TA Fiche technique
Spécifications pour ZXMC3F31DN8TA
Numéro d'article : ZXMC3F31DN8TA
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.8A, 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 12.9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 608pF @ 15V
Puissance - Max : 1.8W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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