ZXMHC3F381N8TC Fiche technique
Spécifications pour ZXMHC3F381N8TC
Numéro d'article : ZXMHC3F381N8TC
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.98A, 3.36A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 430pF @ 15V
Puissance - Max : 870mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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