ZXMN10B08E6TC Fiche technique
Spécifications pour ZXMN10B08E6TC
Numéro d'article : ZXMN10B08E6TC
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 497pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-26
Paquet / caisse : SOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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