TBAS16,LM - DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TBAS16,LM

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TBAS16,LM
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 80V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 215mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : -
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : -
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-3 Flat Leads
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Température de fonctionnement - Jonction : -
Poids : -
État : Nouveau et original
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