IPU60R2K0C6BKMA1 - MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251

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MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
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Spécifications pour IPU60R2K0C6BKMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPU60R2K0C6BKMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 760mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 60µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 22.3W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO251-3
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPU60 , IPU60R2K

Documents pour IPU60R2K0C6BKMA1

Feuilles de données : IPU60R2K0C6BKMA1.pdf

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