DMG5802LFX-7 - MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

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MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
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Spécifications pour DMG5802LFX-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMG5802LFX-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 24V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 31.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1066.4pF @ 15V
Puissance - Max : 980mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-VFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : W-DFN5020-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMG5 , DMG580

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