IRLHS6376TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1809055 Pieces
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Spécifications pour IRLHS6376TRPBF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRLHS6376TRPBF
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
270pF @ 25V
Puissance - Max :
1.5W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur :
6-PQFN (2x2)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRLHS6376TRPBF
Feuilles de données :
IRLHS6376TRPBF.pdf
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