STFI260N6F6 - MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STFI260N6F6
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
87560 Pieces
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Spécifications pour STFI260N6F6
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
STFI260N6F6
Fabricant :
STMicroelectronics
La description :
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
Séries :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
183nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
11400pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
41.7W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
I2PAKFP (TO-281)
Paquet / caisse :
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour STFI260N6F6
Feuilles de données :
STFI260N6F6.pdf
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