V10P12HM3_A/I - DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A

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Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour V10P12HM3_A/I

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : V10P12HM3_A/I
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 120V 10A TO277A
Séries : Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 120V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 820mV @ 10A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 400µA @ 120V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-277, 3-PowerDFN
Package d'appareils du fournisseur : TO-277A (SMPC)
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : V10P , V10P12

Documents pour V10P12HM3_A/I

Feuilles de données : V10P12HM3_A/I.pdf

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