IRF8313TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF8313TRPBF
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRF8313TRPBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRF8313TRPBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 15V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRF8313TRPBF
Feuilles de données : IRF8313TRPBF.pdf
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