70T3399S133BC - IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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9608 Pieces
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Spécifications pour 70T3399S133BC
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
70T3399S133BC
Fabricant :
IDT, Integrated Device Technology Inc
La description :
IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
SRAM
La technologie :
SRAM - Dual Port, Synchronous
Taille mémoire :
2Mb (128K x 18)
Fréquence d'horloge :
133MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
4.2ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
2.4V ~ 2.6V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
256-LBGA
Package d'appareils du fournisseur :
256-CABGA (17x17)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour 70T3399S133BC
Feuilles de données :
70T3399S133BC.pdf
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Murata Electronics North America |
CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402. |
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CAP CER 75PF 30KV AXIAL. |
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EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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CAP CER 7600PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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