PMZB600UNEYL - MOSFET N-CH 20V 3QFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-PMZB600UNEYL
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 3QFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
6842360 Pieces
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Spécifications pour PMZB600UNEYL
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
PMZB600UNEYL
Fabricant :
Nexperia USA Inc.
La description :
MOSFET N-CH 20V 3QFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
600mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
950mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
21.3pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DFN1006B-3
Paquet / caisse :
3-XFDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour PMZB600UNEYL
Feuilles de données :
PMZB600UNEYL.pdf
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