ALD111933PAL Fiche technique
Spécifications pour ALD111933PAL
Numéro d'article : ALD111933PAL
Fabricant : Advanced Linear Devices Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Séries : EPAD®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 10.6V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.35V @ 1µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Puissance - Max : 500mW
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareils du fournisseur : 8-PDIP
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-ALD111933PAL
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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