ALD111933PAL - MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-ALD111933PAL
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
126720 Pieces
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Spécifications pour ALD111933PAL
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
ALD111933PAL
Fabricant :
Advanced Linear Devices Inc.
La description :
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Séries :
EPAD®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
10.6V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 Ohm @ 5.9V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.35V @ 1µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2.5pF @ 5V
Puissance - Max :
500mW
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Paquet / caisse :
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Package d'appareils du fournisseur :
8-PDIP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour ALD111933PAL
Feuilles de données :
ALD111933PAL.pdf
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