APTM100H45FT3G Fiche technique
Spécifications pour APTM100H45FT3G
Numéro d'article : APTM100H45FT3G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V (1kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 154nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4350pF @ 25V
Puissance - Max : 357W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP3
Package d'appareils du fournisseur : SP3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
8368 Pièces
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