APTM100H45FT3G - MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour APTM100H45FT3G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
APTM100H45FT3G
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
1000V (1kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
154nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4350pF @ 25V
Puissance - Max :
357W
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Paquet / caisse :
SP3
Package d'appareils du fournisseur :
SP3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour APTM100H45FT3G
Feuilles de données :
APTM100H45FT3G.pdf
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